사업소개

끊임없는 연구와 기술 개발에 대한 열정을 가지고 세계로 나아가는 AP시스템

플라즈마응용기술

플라즈마를 활용하여 반도체 및 디스플레이 공정에 적용되는 증착 및 식각 장비를 보유하고 있습니다.

  • 반도체 분야 : 플라즈마 증착(Sputter) 및 플라즈마 처리(Descum)
  • 디스플레이 분야 : Back plane 및 TFE용 플라즈마 증착 장비(PEALD, PECVD)
  • Sputter System
  • Descum System
  • Thin Film Encapsulation

Sputter System

KORONA™ PVD600_ Advanced Package Process

  • 반도체 Advanced Package 스퍼터(Sputter)
  • 반도체 소자의 대용량화, 고속화 및 소형화 추세에 따라 반도체 Package 기술도 기존 Wire bonding에서 Flip Chip 방식으로 변화되고 있으며, 최근에는
    FOWLP(Fan-out wafer level package) / FOPLP(Fan-out panel level package)와 3D Package으로 발전 되어가고 있습니다.
  • AP시스템에서는 반도체 Package 기술의 발전에 따라 금속막 (CPB UBM, RDL) 제조용 스퍼터링 장비를 고객사에 공급하고 있습니다.

Technology

  • 각 체임버로 인입 시에 Substrate Shift Detection & Align 기술
  • 최적 공정 확보를 위한 저온용(-20℃) ESC 기술(@ Pre-Cleaning & Process)
  • Long Term Degas Time & 균일한 High Temperature를 위한 Multi Plate Heating
    System 구성기술
  • Lower Particle을 위한 in Situ Pasting 기술 적용된 CCP 형태의 플라즈마 식각 체임버
  • High Film Quality 및 Film Uniformity를 위한 Magnetron Sputtering Source 기술
    (Magnetron Scan & Tilt for FOPLP)
  • 다양한 반도체 장비에 적용되어 검증된 Software Tool(EasyCluster™) 운용기술

Features

PVD600: CPB & FOWLP

  • 기판 Information: Diameter 300mm including EMC (Epoxy Molding Compound)
  • EFEM, 2LoadLock, Octagonal Transfer Chamber, 2Multi_Degas Chamber, 2Pre-
    Cleaning Chamber (CCP) & 2Process Module

PVD600_R450: FOPLP

  • 기판 Information: Rectangular(Approximately 400 x 500mm) PCB
  • EFEM, 2LoadLock, Octagonal Transfer Chamber, 2Multi_Degas Chamber,
    2Precleaning Chamber (CCP) & 2Process Module(Vertical Process)

Specification

Temperature Uniformity>
(@ Degas of 300℃)		 ≤ 5%
Etch Uniformity
(@ Precleaning)		 ≤ 7%
Film Uniformity
(@ Process)		 ≤ 5%
Throughput
(@ Ti : 1000Å, Cu : 3000Å)		 ≥ 33 sheets/hr(@ Si기판), ≥ 24 sheets/hr(@ EMC & PCB 기판)

Technology

  • 각 체임버로 인입 시에 Wafer Shift Detection & Align 기술
  • 최적 공정 확보를 위한 ESC 기술(@ Pre-Cleaning & Process)
  • Fast Temperature Rising & 균일한 High Temperature를 위한 Dual Heating
    System 구성기술
  • Lower Damage & High Throughput을 위한 ICP 형태의 플라즈마 식각 체임버
  • High Film Quality 및 Film Uniformity를 위한 Magnetron Sputtering Source 기술
  • 다양한 반도체 장비에 적용되어 검증된 Software Tool(EasyCluster™) 운용기술

Features

PVD600: Single Backbone

  • EFEM, 2LoadLock, Octagonal Transfer Chamber, Single Degas Chamber, Pre-
    Cleaning Chamber (ICP) & 2Process Module

PVD1000: Dual Backbone

  • EFEM, 2LoadLock, 2Octagonal Transfer Chamber, 2Single Degas Chamber,
    2Precleaning Chamber (ICP) & 4Process Module

Specification

Common Temperature Uniformity(@ Degas of 300℃): ≤ 5%
Etch Uniformity(@ Pre-Cleaning) :≤ 5%
Film Uniformity(@ Process) : ≤ 3%
Throughput (@ Ti : 250Å,
Al : 6000Å, TiN : 250Å)		 PVD600 : ≥ 39 sheets/hr
PVD1000 : ≥ 52 sheets/hr

Descum System

KORONA™ DSC200

  • 반도체 디스컴(Descum) 시스템
  • 플립칩 본딩(Flip Chip Bonding)에 사용되기 위한 범프(Bump)를 웨이퍼에 형성하는 데 있어, 전기도금 공정 전 패턴 측벽의 스컴(Scum)을 제거하거나, 접착력 개선을 위한 표면을
    개질하는 플라즈마 처리 시스템입니다.

Technology

  • ICP Antenna 설계 기술 (고밀도/저손상 플라즈마)
  • 공정 균일도 제어 (최적화된 Pedestal 및 Edge ring 설계)
  • 플라즈마 안정성 (최적화된 체임버 내부 설계)
  • 기능성 반송 로봇 (웨이퍼 정렬)

Features

  • 헬리컬 유도결합 플라즈마를 이용한 높은 식각률
  • 대구경 플라즈마 리액터 및 최적화된 챔버 내부 구조
  • 공정 균일도 제어 용이
  • CoC (Cost of Consumables) 최소화

Specification

  • Helical Resonance ICP Plasma(27.12MHz)
    (Ion Density: >1E12 cm-3 , Electron Temperature < 1eV)
  • Cooling Pedestal: 0 ~ 40°C
  • 각각 독립된 2 체임버로 구성된 최소화된 레이아웃(Foot print)

Thin Film Encapsulation

KORONA™ TFE System

  • AMOLED 소자로의 산소 및 수분 침투 방지를 위한 봉지용 박막 구조 증착기
  • 최대 6세대 2분할 기판 적용 가능
  • Flexible, rollable, foldable 디스플레이 구현을 위한 유연 봉지 막 증착기

Technology

  • 다중 선형 노즐의 ALD 증착 원
  • In-situ cleaning 및 가스 유동 제어 기술을 통한 고청정 박막 증착 기술
  • 다층구조 박막 설계 기술을 통한 stress 제어 및 투습도 최적화 기술

Features

  • ICP 안테나 설계 기술 (고밀도/저손상 플라즈마)
  • Susceptor 설계 기술 (후면 폴리머 제거 가능 및 웨이퍼 휨 방지)
  • Pre-Heating(Halogen Lamp) 제어 및 공정 기술
  • 기능성 반송 로봇 (웨이퍼 정렬)

Specification

Substrate Loading 6세대 2분할, 925mm x 1500mm
기판 온도 최대 90℃
투습도 <5e-5 g/m²/day @ 1000Å, SiNx/SiOx 다층구조
막 두께 균일도 < 5%
광투과도 > 90% @ 가시광 전 영역
Stress <±100 MPa

KORONATM ALD
(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System)

  • KORONATM ALD 는 플라즈마 반응을 이용하여 기존 Thermal ALD 보다 저온 공정에서 증착 가능
  • Application : Active layer, Buffer layer, Encapsulation layer

Technology

  • Plasma scanning 기술을 통한 대면적 증착 장비
  • 노즐을 이용한 대면적 증착 장비
  • Laminar flow 및 showerhead 를 이용한 대면적 증착 장비

Features

  • Good step coverage
  • Long PM period
  • High deposition rate
  • High density thin film
  • High throughput

Specification

System Configuration 1 Process Chamber(2 Reactor)
2 Slot Loadlock(Semi Auto Loading)
Substrate Size 730 X 920mm
Film Uniformity <±3%
Sub. temperature 25℃ ~ 250℃
Process Pressure 1 ~ 10 torr
Precursor Source TMA, DEZ, DIPAS, DADI, TEGa, O2, Ar, N2, H2O…
Foot print 1200(W)*4500(L)*2400(H)
Deposition ALD(Atomic Layer Deposition) - Plasma function included
Control PC Control

KORONATM CVD
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System)

  • Micro-OLED 박막 봉지막 증착기

Technology

  • 낮은 온도(80℃)에서 박막 봉지막 증착 가능 → OLED 소자 damage 최소화
  • SiNx/SiON 박막의 우수한 투습 특성 → 봉지막 두께 최소화
  • RPS(Remote Plasma System)를 사용한 cleaning 방식 적용

Features

  • Excellent thickness uniformity of thin film
  • Mask align
  • RPS(Remote Plasma System) Cleaning

Specification

Item Specification
Hardware Substrate 8 inch, 12 inch Wafer (EE : 3mm) 200 x 200mm Glass
Plasma source CCP type
RF generator 13.56 MHz, 1.1 kW
Substrate temperature 80℃ ± 2℃
Base pressure ≤ 1E-3 Torr (TBD)
Process gas SiH4, NH3, N2O, N2, H2
In-situ cleaning gas NF3, Ar
Process Deposition material SiNx, SiOx, SiON
Deposition rate ≥3000Å/min
Thickness uniformity ≤ ± 3%
Stress ≤ ± 100 MPa
WVTR ≤ 5E-4 g/m²/day @ SiNx 1μm
≤ 5E-4 g/m2/day @ SiON 1μm
≤ 1E-3 g/m2/day @ SiOx 1μm
닫기