끊임없는 연구와 기술 개발에 대한 열정을 가지고 세계로 나아가는 AP시스템
| System Configuration | 1 Process Chamber(2 Reactor) |
|---|---|
| 2 Slot Loadlock(Semi Auto Loading) | |
| Substrate Size | 730 X 920mm |
| Film Uniformity | <±3% |
| Sub. temperature | 25℃ ~ 250℃ |
| Process Pressure | 1 ~ 10 torr |
| Precursor Source | TMA, DEZ, DIPAS, DADI, TEGa, O2, Ar, N2, H2O… |
| Foot print | 1200(W)*4500(L)*2400(H) |
| Deposition | ALD(Atomic Layer Deposition) - Plasma function included |
| Control | PC Control |