기술 및 제품
끊임없는 연구와 기술 개발에 대한 열정을 가지고 세계로 나아가는 AP시스템
열처리기술
반도체전공정의 핵심 장비인 급속열처리 장비를 고객사에 제공하고 있습니다.
- 텅스텐 할로겐램프를 이용하여 짧은 시간 이내에 웨이퍼를 고온으로 처리하는 열처리(Rapid Thermal Processing, RTP)장비는 산화 공정에 적용됩니다.
- Rapid Thermal Process
- Halogen lamp
Rapid Thermal Process
KORONA™ RTP-12MP
KORONA™ RTP-12LR
RTP의 장점은 온도를 빠르게 가열 또는 냉각할 수 있어 열 소모 비용을 크게 줄일 수 있습니다. AP시스템의 RTP장비는 우수한 온도 균일성, 웨이퍼 회전, 방사율 보상과 지능형 온도 조절을 제공합니다.
Technology
자성을 이용한 비접촉식 회전(Magnet Levitation)으로 표면 내 우수한 온도 균일성을 확보합니다.
Specification
| Spec Items | Unit | Specification |
|---|---|---|
| Temperature Reading Range | ℃ | 400 ~ 1250 |
| Temperature Control Range | ℃ | 435 ~ 1200 |
| Temperature Ramping-Up Rate | ℃/sec | Up: 250℃/sec, Down: -90℃/sec |
| Process Pressure | Torr | 780±2 ~ 1×10-3 |
| RTO Range @ 1100℃, 60sec, X-scan, 49Points, 3 EE | Å, 1σ | ≤±0.5 |
| Rs Range @ 700 ~ 1100℃, X-scan, 81Points, 3 EE | Ω/Sq, 1σ | ≤15 |
| Pyrometer to Pyrometer Peak Temp Uniformity | ℃ | Target±1.0℃ @Bare Wafer |
| RTO/Rs Non-uniformity | %,1σ | RTO: 0.48%, Rs: 0.72% |
| RTO/Rs Repeatability | %,1σ | ≤1.5%, 1σ |
| Temp. Stability & Repeatability | ℃ | <±1.0℃ |
| Rs WTW Non-Uniformity | %,1σ | <1%, 1σ |
| Mechanical Throughput (2 Chambers) | WPH | 142 |
| Item | Description | Unit | Specification | Remarks | |
|---|---|---|---|---|---|
| EFEM | Load Port | Set | 2 ~ 3 | Class 10 | |
| ATM-Robot & Aligner | Set | 1(Aligner: Option) | |||
| TM (Option) | Load Lock | Set | 1(mTorr) | Particle Free | |
| Transfer Chamber | Set | 1(mTorr) | |||
| Process Module | Heater Block | Advanced Mosaic Array | Set | 1 ~ 3(mTorr) | |
| Ch. Body | Cold Wall Chamber | Set | 1 ~ 3(mTorr) | ||
| Lamp | Type | ea | 290(T Shape Bulb) | ||
| Temp. Control | Temp. Control Performance | Control Range | ℃ | 435 ~ 1200℃ | ±0.5℃ Control (Option: Spike) |
| Ramping-Up | ℃ | Max. +240℃/sec | |||
| Ramping-Down | ℃ | Max. -80℃/sec | |||
| Pyrometers per chamber | Quantity | ea | 5 | ||
| Process | 49 Points RTO Range | Å | ≤1 @1σ | ||
| 49 Points Rs Non-Uniformity | % | ≤1 @1σ | |||
